光阻剂 | Envure DV™

光阻剂应用的配方成分

20 多年以来,SACHEM 一直是用于电子应用的显影剂电子配方成分的领先供应商。大部分显影剂已使用四甲基氢氧化铵 (TMAH)四丁基氢氧化铵 (TBAH) 解决。SACHEM 已开发出 Envure DV™ 以帮助满足电子行业日益增长的性能、安全和质量标准。

Envure DV™ 成分可以帮助解决小型尺寸带来的新挑战,如刻线边缘粗糙度和图案倒线(下面是参考文献)。

  • Envure DV™ 322
  • Envure DV™ 324 
  • Envure DV™ 4551
  • Envure DV™ 520

Envure DV™ 322
显影剂配方
四甲基氢氧化铵 (TMAH) 含水 25%
CAS# 75-59-2
SDS

Envure DV™ 324
显影剂配方
四甲基氢氧化铵 (TMAH),最多含水 24.9%
CAS# 75-59-2
SDS

Envure DV™ 4551
显影剂配方
四丁基氢氧化铵 (TBAH),最多含水 10%
CAS# 2052-49-5
SDS

Envure DV™ 520
显影剂配方
四甲基氢氧化铵 (TMAH),最多含水 20%
CAS# 75-59-2
SDS

此外,SACHEM 提供以下支持服务:

参考文献

Development Status of EUV Resist Materials and Processing at Selete (Kentaro Matsunaga et al., 2011)

Selete 研发项目评估了极端远紫外 (EUV) 光刻工艺用于制造半导体设备的可行性。该团队还通过使用用于 HP-2X-纳米测试芯片评估的 Selete 标准光刻胶 (SSR) 评估了光刻胶处理。在开发过程的评估中,使用四甲基氢氧化铵和四丁基氢氧化铵显影液对光刻胶 (SSR) 进行了评估。四丁基氢氧化铵 (TBAH) 显影液和清洗液替代物的结合使用证明了预防图案倒线中的显著改善。

Development of Resist Material and Process for hp-2x-nm Devices Using EUV Lithography (Kentaro Matsunaga et al., Selete 2010)

极端远紫外 (EUV) 光刻是生产 hp-22-纳米技术节点及以后的半导体设备的主要备选。Selete 项目涵盖用于极端远紫外 (EUV) 光刻工艺之制造的评估。使用极端远紫外1 全区域曝光工具产生的 hp-2x-纳米测试芯片分析显示光刻胶的性能尚未满足分辨率限制、灵敏度以及刻线边缘粗糙度的严格要求。图形倒线限制分辨率至 hp 28 纳米。若要提高分辨率,需要优化该工艺以防止图形倒线。对用于 hp-2x-纳米一代的 Selete 标准光刻胶 4 (SSR4) 的评估显示更薄的光刻胶以及使用四丁基氢氧化铵显影液可以有效缓解此问题。

Dissolution Behavior of Photoresists:An In-situ Analysis (Toshiro Itani and Julius Joseph Santillan, Journal of Photopolymer Science and Technology Vol. 23, No. 5, 639-642 (2010))

已多次调查研究曝光后的光刻胶溶解工艺特性,以寻找在开发最理想的光刻胶材料和工艺以满足下一代光刻要求的过程中可能的线索。在本文中,作者利用高速原子力显微技术对光刻胶溶解行为进行了现场分析。在开发过程之前、期间和之后对曝光的极端远紫外光刻胶膜表明的物理变化进行了实时观察。在本文中,作者依照极端远紫外光刻胶平台对四甲基氢氧化铵显影剂中的溶解特性进行了比较。此外,作者还使用相同的聚合物光刻胶分析了四甲基氢氧化铵显影剂与四丁基氢氧化铵显影剂之间的溶解特性差异。

The Emergence of Alternative Developers for Extreme Ultraviolet Lithography (Toshiro Itani and Julius Joseph Santillan, Applied Physics Express 3 (2010))

近期关于极端远紫外光刻胶的工作显示采用处理过的光刻胶替代物作为达到光刻性能目标的可能的解决方案。在本研究中,作者调查研究了四丁基氢氧化铵替代目前使用的四甲基氢氧化铵显影液的可能性。使用四丁基氢氧化铵显影剂可以实现光刻性能的显著改善。

Alternative Developer Solutions for Extreme Ultraviolet Resist (Toshiro Itani and Julius Joseph Santillan, 2009)

四丙基氢氧化铵和四丁基氢氧化铵含水显影液被提议作为四甲基氢氧化铵含水显影液的替代物使用(半导体行业标准)。极端远紫外光刻胶使用四甲基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵和四丁基氢氧化铵显影液的溶解对比曲线已显示出相似的溶解特性,这表明使用这些显影液替代物对光刻胶分辨率限制和灵敏度的影响极小。成像性能分析结果显示了在分辨率性能和敏感度上的微不足道的影响。据观察,使用四丁基氢氧化铵和标准四甲基氢氧化铵显影液改善了 20% 的 LWR。相对于使用四丁基氢氧化铵显影液而言,这种改善被认为是溶解中显著增长的结果。