蚀刻后残留物去除 | 光刻胶剥离剂 | Envure ST™

SACHEM 创造出了适用于蚀刻后残留物去除过程的成分。电子行业对亚 22 纳米节点的追求为蚀刻后残留物去除过程带来了多重挑战。作为回应,厂家正在设计制作新型蚀刻后残留物去除产品,以便一致彻底地从仅有几纳米宽的小孔和金属线上去除灰烬以及侧壁聚合物残留。后端处理需要去除因蚀刻过程而沉积的聚合物。这些聚合物一般出现在完整的图案上,包括介电侧壁,可以通过湿法清洗或湿法清洗与粒子处理相结合来将其移除。当存在多孔介电质时,使用粒子或某些湿法清洗就无法在不损坏底层孔介电层的前提下有效地去除这些残留物。因此,就需要一种能够完全去除残留物且不损坏多孔介电质的单步式湿法清洗。
主要挑战:线与孔渗透
许多灰烬残留物去除化学品都具有表面粘度,事实上这种表面粘度会将凹槽和其他开口连接起来。
这就使残留物去除化学品无法充分渗透小孔中来去除粒子副产品
结果:粒子副产品去除不彻底/效率低,影响产量 – 进一步侵蚀金属化效果。
主要挑战:蚀刻控制
所有的残留物去除化学品都会与被清洁的基板进行反应,这又叫做蚀刻调节,这种反应会给基板的物理属性带来显著变化。
蚀刻清洁过程(水浴次数、温度与配方)是为通过蚀刻调节实现更好的金属化而设计的。如今亚 22 纳米结构十分微小,因此之前可接受的蚀刻率会损坏基板,从而造成金属线壁的过度蚀刻、CD 损失、线条瓦解、穿通现象等。

蚀刻后残留物去除可用的产品 | 光刻胶剥离
Enure ST™ 2011
用于薄膜晶体管 (TFT) 的的剥离剂配方
四甲基氢氧化铵 (TMAH),含 20% 没食子酸丙酯
CAS# 75-59-2/57-55-6
SDS