無損傷濕化學蝕刻劑 InGaZnO 薄膜晶體管 | 技術論文摘要

標題：用無損傷濕化學蝕刻劑製造背通道蝕刻 (BCE) InGaZnO TFT。

Qualcomm MEMS Technologies Inc. 與 SACHEM 共同撰寫技術論文，在 2014 年在日本舉行的國際顯示器技術研討會上展示。

作者：Tze-Ching Fung, Cheonhong Kim, Tallis Chang, John Hong – Qualcomm MEMS Technologies Inc.
Paul Vermeulen, Paul Janseen, Yongqiang Lu, Sian Collins, Laura Robichaux – SACHEM, Inc.

概述：Qualcomm 使用幾乎無損傷的濕化學蝕刻劑（SACHEM 專屬配方）開發了 BCE a-IGZO TFT 工藝。Qualcomm 已經評估 TFT 的屬性和一致性，並與根據彙報的傳統 ESL—類型的 TFT的價值與 TFT 的性能進行比較。低掩碼數量和高反射率差引發高容量製造業對 BCE TFT 這一工藝的極大興趣。

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