标题：用无损伤湿化学蚀刻剂制造背通道蚀刻 (BCE) InGaZnO TFT。
Qualcomm MEMS Technologies Inc. 与 SACHEM 共同撰写技术论文，于 2014 年在日本举行的国际显示器技术研讨会上展示。
作者：Tze-Ching Fung, Cheonhong Kim, Tallis Chang, John Hong – Qualcomm MEMS Technologies Inc.
Paul Vermeulen, Paul Janseen, Yongqiang Lu, Sian Collins, Laura Robichaux – SACHEM, Inc.
概述：Qualcomm 使用几乎无损伤的湿化学蚀刻剂（SACHEM 专利配方）开发了 BCE a-IGZO TFT 工艺。Qualcomm 已经评估 TFT 的属性和一致性，并根据汇报的传统 ESL—类型的 TFT价值与 TFT 的性能进行比较。低掩码数量和高反射率差引起高容量制造业对 BCE TFT 这一工艺的极大兴趣
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