제목: 손상 방지 화학 식각액을 통한 InGaZnO TFT 후면 식각(Back-Channel-Etch) 가공
Qualcomm MEMS Technologies Inc.는 SACHEM과 기술 자료를 공동 제작하고 일본에서 개최되는 2014 IDW(국제 디스플레이 학회)에서 자료를 공개했습니다.
저자: Tze-Ching Fung, Cheonhong Kim, Tallis Chang, John Hong – Qualcomm MEMS Technologies Inc.
Paul Vermeulen, Paul Janseen, Yongqiang Lu, Sian Collins, Laura Robichaux – SACHEM, Inc.
개요: Qualcomm은 대부분의 손상을 방지하는 화학 식각액 BCE a-IGZO TFT 프로세스(SACHEM의 독점 화학식)를 개발하였습니다. TFT 속성 및 균일성이 평가되었으며, 성능은 표준 ESL-타입 TFT를 기반으로 보고된 수치와 유사한 수준이었습니다. 적은 수량의 마스크와 소형 장치로 구현 가능한 BCE TFT는 이러한 특성 덕분에 대규모 제조 환경에 매우 매력적인 대안이 될 것입니다
기술 자료 사본을 다운로드하려면 양식을 작성하십시오.
