리소그래피 공정은 감광성 폴리머, 노출 기판에3D 구조 이미지를 형성하기 위해 개발된 포토 레지스트라고 하는 촬영 과정이다. 일반적으로, 최적의 포토 레지스트의 이미지가 레지스트의 두께를 통한 수직벽과 기판의 평면 설계 또는 목적 패턴을 통해 정확한 형상을 갖는다. 따라서, 최종적인 레지스트 패턴은 이진 : 다른 부분이 완전히 노출되는 이상에 레지스트 기판의 부분이 덮여있다. 이런 바이너리 패턴은덮여 있는 기관이나 다른 패턴 전이기구로부터 보호될 수 있고 레지스트 때문에 바이너리 패턴은 패턴 전이가 필요하다.
반도체 리소그래피 공정
일반적이고 전형적인 리소그래피 공정에 필요한 것은 다음과 같다: 기판의 제조, 포토 레지스트 스핀 코팅, 프리 베이크, 노광, 노광 후 베이킹, 현상 및 포스트 베이킹등을 걸친다. 스트립은 리소그래피 공정에서 최종 동작 레지스트였고 레지스트 패턴은 에칭 또는 이온 주입을 통해 아래층으로 전사된다. 이 시퀀스는 일반적으로 리소그래피 클러스터라는 단위로 연속하고 서로 연결된 여러 도구들에서 수행된다.
상기 레지스트 패턴은 에칭 또는 이온 주입을 통해 상기 하부 층으로 전사 된 후, 레지스트 스트립은 리소그래피 프로세스의 마지막 동작이다. 이 시퀀스는 일반적으로 리소그래피 클러스터라는 단위로 연속 서로 연결된 여러 도구상에서 수행된다.
사용 가능한 제품
Devera DV™ 109
TFT를 위한 평면 패널 디스플레이 개발
테트라 메틸 암모늄 수산화물(TMAH) 20% AQ UP
CAS# 75-59-2
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Devera DV™ 110
TFT를 위한 평면 패널 디스플레이 개발
테트라 메틸 암모늄 수산화물(TMAH) 24.9% AQ UP
CAS# 75-59-2
SDS | 제품 시트| 같은 결과 | 견적 요청
Devera DV™ 111
TFT를 위한 평면 패널 디스플레이 개발
테트라 메틸 암모늄 수산화물(TMAH) 25% AQ UP
CAS# 75-59-2
SDS | 제품 시트| 같은 결과 | 견적 요청________________________________________
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