후편-에칭 잔유물 제거 | 포토레지스트 스트리퍼 | Envure ST™

SACHEM는 후편-에칭 잔유물 제거 과정을 만들었다. 전자 공업의 하위-22 nm는 많은 잔유물 제거 과정의 도전을 직면하게 된다. 이것을 해결하기 위해 새로운 포스트 에칭 잔유물 제거 제품은 지속적으로 설계되고 있고 비자 및 금속 라인 폭이 몇 나노 미터에서 화산재와 측벽 폴리머 잔유물을 제거한다. 이런 과정은 라인 처리의 백 엔드는 에칭 공정에 의한 퇴적 폴리머의 제거가 필요하다. 이러한 중합체는 전형적으로 유전체 측벽을 포함하는 패턴의 전체에 존재하는 습식 세정 또는 습식 세정 및 플라즈마 처리의 조합에 의해 제거될 수 있다. 다공성 유전체가 존재하는 경우에 이런 잔기 효율적 잠재적인 하부는 다공성 유전체층을 손상시키지 않고 특정 플라즈마 또는 습식 세정을 이용하여 제거될 수 없다. 따라서 완전히 다공성 유전체의 손상없이 잔유물을 제거 할 수있는 습식 세정 공정에 대한 요구가 존재한다.

주요 도전: 라인 & 침투를 통해
많은 잔유물을 제거 화확은 실제로 해자와 다른 개구를 트렌치한다.
이것은 적절 플라즈마 부산물을 제거하기 위해 비아를 관통 잔사 제거 화학 방지한다.
결과: 불완전 / 무효 플라즈마 부산물 제거, 수율에 영향-금속 부식 효과를 더욱이 좀먹다.

이것은 플라즈마 부산물을 제거하기 위해 적절하게 관통 비아로부터 잔류 물 제거 화학 반응을 방지

주요 도전: 에칭 제거
모든 잔유물을 제거 화확 반응은 기판 세정되는 상호 작용-에칭 조절이라고도 한다. 기판의 물리적 특성에 상당한 변화를 초래할 수 있다.
에칭 세정 공정 (목욕 시간, 온도, 제형)이 에칭을 통해 더 컨디셔닝 금속을 달성하기 위해 설계되었다. 하위-22 nm의 구조는 지금 아주 작고 전에 허용되는 에칭 속도는 펀치 스루, 금속 라인 측벽의 오버 에칭, CD 손실, 라인 붕괴등의 결과로 기판을 손상시킬 수 있다

후편-에칭 잔유물 제거 | 포토레지스트 스트리퍼를 위한 사용 가능한 제품
Envure ST™ 2011
TFT를 위한 스트리퍼 처방서
테트라 메틸 암모늄 수산화물(TMAH) 20% PG
CAS# 75-59-2/57-55-6SDS