選擇性蝕刻 | Envure SE™

 

選擇性蝕刻應用的配方成分

Envure SE™ 的配方成分是很多用於矽濕蝕刻應用的關鍵配方的基礎。讓我們來協助您調整它們在個別應用中的成分。

  • 溫度和濃度可調
  • 良好的有機溶解性和增強的性能
  • 金屬離子和鹵化物水準預算低

 

用於蝕刻應用的 Envure SE™

Envure SE™ 3330
用於積體電路的矽蝕刻
Ethyltrimethylammonium Hydroxide (ETMAH) 20% 四乙基氫氧化銨 AQ UP
CAS# 30382-83-3
SDS
Envure SE™ 4420
用於積體電路的矽蝕刻
四乙基氫氧化銨 (TEAH) 20% AQ UP
CAS# 77-98-5
SDS
Envure SE™ 4440
用於積體電路的矽蝕刻
T四乙基氫氧化銨 (TEAH) 35% 四乙基氫氧化銨 AQ UP
CAS# 77-98-5
SDS

我們的目標是為您提供您理想的解決方案。請聯絡我們,告知您的應用需求或者瞭解更多關於: