光阻劑 | Envure DV™

光阻劑應用的配方成分

20 多年以來,SACHEM 一直是用於電子應用的顯影劑電子配方成分的領先供應商。大部分顯影劑已使用四甲基氫氧化銨 (TMAH) 四丁基氫氧化銨 (TBAH) 解決。SACHEM 已開發出 Envure DV™ 以幫助滿足電子行業日益增長的性能、安全和品質標準。

Envure DV™ 成分可以幫助解決小型尺寸帶來的新挑戰,如刻線邊緣粗糙度和圖案傾塌(下面是參考文獻)。

  • Envure DV™ 322
  • Envure DV™ 324 
  • Envure DV™ 4551
  • Envure DV™ 520

Envure DV™ 322
顯影劑配方
四甲基氫氧化銨 (TMAH),含水 25%
CAS# 75-59-2
SDS

Envure DV™ 324
顯影劑配方
四甲基氫氧化銨 (TMAH),最多含水 24.9%
CAS# 75-59-2
SDS

Envure DV™ 4551
顯影劑配方
四丁基氫氧化銨 (TBAH),最多含水 10%
CAS# 2052-49-5
SDS

Envure DV™ 520
顯影劑配方
四甲基氫氧化銨 (TMAH),最多含水 20%
CAS# 75-59-2
SDS

此外,SACHEM 提供以下支援服務:

參考文獻

Development Status of EUV Resist Materials and Processing at Selete (Kentaro Matsunaga et al., 2011)

Selete 研發專案評估了極端遠紫外 (EUV) 光刻工藝用於製造半導體裝置的可行性。該團隊還透過使用用於 HP-2X-奈米測試晶片評估的 Selete 標準光刻膠 (SSR) 評估了光刻膠處理。在開發過程的評估中,使用四甲基氫氧化銨和四丁基氫氧化銨顯影液對光刻膠 (SSR) 進行了評估。四丁基氫氧化銨 (TBAH) 顯影液和清洗液替代物的結合使用證明了預防圖案傾塌中的顯著改善。

Development of Resist Material and Process for hp-2x-nm Devices Using EUV Lithography (Kentaro Matsunaga et al., Selete 2010)

極端遠紫外 (EUV) 光刻是生產 hp-22-奈米技術節點及以後的半導體裝置的主要備選。Selete 項目涵蓋用於極端遠紫外 (EUV) 光刻工藝之製造的評估。使用極端遠紫外1 全區域曝光工具產生的 hp-2x-奈米測試晶片分析顯示光刻膠的性能尚未滿足解析度限制、靈敏度以及刻線邊緣粗糙度的嚴格要求。圖案傾塌限制解析度到 hp 28 奈米。若要提高解析度,需要最佳化該工藝以防止圖案傾塌。對用於 hp-2x-奈米 一代的 Selete 標準光刻膠 4 (SSR4) 的評估顯示更薄的光刻膠以及使用四丁基氫氧化銨顯影液可以有效緩解此問題。

Dissolution Behavior of Photoresists:An In-situ Analysis (Toshiro Itani and Julius Joseph Santillan, Journal of Photopolymer Science and Technology Vol. 23, No. 5, 639-642 (2010))

已多次調查研究曝光後的光刻膠溶解工藝特性,以尋找在開發最理想的光刻膠材料和工藝以滿足下一代光刻要求的過程中的可能的線索。在本文中,作者利用高速原子力顯微技術對光刻膠溶解行為進行了的現場分析。在開發過程之前、期間和之後對曝光的極端遠紫外光刻膠膜表明的物理變化進行了即時觀察。在本文中,作者依照極端遠紫外光刻膠平臺對四甲基氫氧化銨顯影劑中的溶解特性進行了比較。此外,作者還使用相同的聚合物光刻膠分析了四甲基氫氧化銨顯影劑與四丁基氫氧化銨顯影劑之間的溶解特性差異。

The Emergence of Alternative Developers for Extreme Ultraviolet Lithography (Toshiro Itani and Julius Joseph Santillan, Applied Physics Express 3 (2010))

近期關於極端遠紫外光刻膠的工作顯示採用處理過的光刻膠替代物作為達到光刻性能目標的可能的解決方案。在本研究中,作者調查研究了四丁基氫氧化銨替代目前使用的四甲基氫氧化銨顯影液的可能性。使用四丁基氫氧化銨顯影劑可以實現光刻性能的顯著改善。

Alternative Developer Solutions for Extreme Ultraviolet Resist (Toshiro Itani and Julius Joseph Santillan, 2009)

四丙基氫氧化銨和四丁基氫氧化銨含水顯影液被提議作為四甲基氫氧化銨含水顯影液的替代物使用(半導體行業標準)。極端遠紫外光刻膠使用四甲基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨和四丁基氫氧化銨顯影液的溶解對比曲線已顯示出相似的溶解特性,這表明使用這些顯影液替代物對光刻膠解析度限制和靈敏度的影響極小。成像性能分析結果顯示了在解析度性能和敏感度上的微不足道的影響。據觀察,使用四丁基氫氧化銨和標準四甲基氫氧化銨顯影液改善了 20% 的 LWR。相對於使用四丁基氫氧化銨顯影液而言,這種改善被認為是溶解中顯著增長的結果。