选择性蚀刻 | Envure SE™

 

选择性蚀刻应用的配方成分

Envure SE™ 的配方成分是很多用于硅湿蚀刻应用的关键配方的基础。让我们来协助您调整这些成分以适合您的特定应用。

  • 温度和浓度可调
  • 良好的有机溶解性和增强的性能
  • 金属离子和卤化物水平预算低

 用于蚀刻应用的 Envure SE™

Envure SE™ 3330
用于集成电路的硅蚀刻
Ethyltrimethylammonium Hydroxide (ETMAH) 最多含水 20%
CAS# 30382-83-3
SDS
Envure SE™ 4420
用于集成电路的硅蚀刻
四乙基氢氧化铵 (TEAH) 最多含水 20%
CAS# 77-98-5
SDS
Envure SE™ 4440
用于集成电路的硅蚀刻
四乙基氢氧化铵 (TEAH) 最多含水 35%
CAS# 77-98-5
SDS