Photoresist Developer | Envure DV™

フォトレジスト現像剤アプリケーション用の配合成分

SACHEMは、20年以上にわたり、電子アプリケーション向けの現像剤アプリケーションで使われる電子配合成分のリーディングサプライヤーです。 ほとんどの現像剤アプリケーションは、水酸化テトラメチルアンモニウム (TMAH)および水酸化テトラブチルアンモニウム (TBAH)を使って溶解されてきました。 SACHEMは、エレクトロニクス業界で高まっている性能、安全性、および品質の各基準を満たすためにEnvure DV™を開発しました。

Envure DV™のコンポーネントは、サイズを小さくしたために新しい課題 (ライン端部の荒さやパターンの崩壊など) が生じてきた場合に役立ちます (下記の資料を参照)。

  • Envure DV™ 322
  • Envure DV™ 324 
  • Envure DV™ 4551
  • Envure DV™ 520

Envure DV™ 322
現像剤配合成分
水酸化テトラメチルアンモニウム (TMAH) 25% AQ
CAS# 75-59-2
SDS

Envure DV™ 324
現像剤配合成分
水酸化テトラメチルアンモニウム (TMAH) 24.9% AQ UP
CAS# 75-59-2
SDS

Envure DV™ 4551
現像剤配合成分
水酸化テトラブチルアンモニウム (TBAH) 10% AQ UP
CAS# 2052-49-5
SDS

Envure DV™ 520
現像剤配合成分
水酸化テトラメチルアンモニウム (TMAH) 20% AQ UP
CAS# 75-59-2
SDS

さらに、SACHEMは次のサポートサービスを提供します:

参考資料

EUVレジスト材料の開発ステータスおよびSeleteでの処理 (Kentaro Matsunaga他、2011年)

Selete研究開発プログラムは、半導体デバイスを製造するための極端紫外線 (EUV) リソグラフィー加工の実現可能性を評価しています。 チームはまたSelete標準レジスト (SSR) をhp-2x-nmテストチップ評価に使用することにより、レジスト処理を評価しました。 開発プロセスの評価では、SSRが水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化テトラメチルアンモニウム現像剤溶液で評価されました。 TBAH現像剤溶液および代替のすすぎ溶液の組み合わせを使用することで、パターン崩壊の予防において著しい改善が実証されました。

EUVリソグラフィーを使用したhp-2x-nmデバイス用のレジスト材料および処理の開発 (Kentaro Matsunaga他、2010年)

極端紫外線 (EUV) リソグラフィーは、hp-22-nm技術ノードなどの半導体デバイス製造のための最有力候補です。 Seleteプログラムは、EUVリソグラフィー処理の製造の評価をカバーします。 EUV1フルフィールド露出ツールを使用したhp-2x-nmテストチップの歩留まり分析は、レジストの性能が分解能限界、感度、およびライン端部の荒さに関する厳格な必要条件をまだ満たしていないことを明らかにしました。 パターン崩壊のため、分解能はhp 28nmに制限されます。 分解能を改善するために、処理を最適化してパターン崩壊を防ぐ必要があります。 hp-2x-nm生成 用のSelete標準レジスト4 (SSR4) の評価は、より薄いレジストおよび現像剤用TBAH溶液の使用が、この問題を緩和するのに有効であることを明らかにしました。

フォトレジストの溶解挙動: その場分析 (Toshiro ItaniおよびJulius Joseph Santillan、Journal of Photopolymer Science and Technology第) 23巻、第 5号、639-642 (2010年))

次世代リソグラフィーの要件を満たすための、最適なフォトレジスト材料および処理の開発において、露出後のフォトレジスト溶解プロセスの特性評価が継続的に調査されてきました。 この論文では、フォトレジストの溶解挙動のその場分析が、高速原子間力顕微鏡を利用して行なわれます。 露出したEUVフォトレジストフィルムの表面の物理的変化が、開発プロセスの前、最中、そして後にリアルタイムで観察されます。 この作業では、TMAH現像剤中のEUVフォトレジスト プラットフォームにおける溶解特性の比較が行なわれました。 さらに、同じポリマーレジストを使用して、TMAHとTBAHの現像剤間の溶解特性の違いが分析されました。

極端紫外線リソグラフィーの代替現像剤の出現 (Toshiro ItaniおよびJulius Joseph Santillan、Applied Physics Express 3 (2010年))

EUVレジストに関する最近の研究は、加工された代替レジストのアプリケーションが、リソグラフィーの性能上の目標を達成するための解決策になることを示しています。 この研究では、現在用いられているTMAH現像剤溶液に可能な代替としての、TBAHの潜在的可能性が調査されています。 TBAH現像剤を使用することで、リソグラフィー性能における著しい改善が達成されました。

極端紫外線レジストのための代替現像剤溶液 (Toshiro ItaniおよびJulius Joseph Santillan (2009年))

TPAHとTBAHの水性現像剤溶液の使用が、TMAH水性現像剤溶液 (半導体業界標準) の代替として提案されています。 TMAH、TPAH、およびTBAHの現像剤溶液を使用したEUVレジストの溶解コントラストカーブは、類似した溶解特性を示しました。これは、代替現像剤溶液の使用が、レジスト溶液の分解能限界および感度に最小の影響をもたらしている可能性があることを意味しています。 画像化性能分析の結果は、分解能力および感度に対する影響が無視できる程度のものであることを示しました。 TBAHおよび標準TMAH現像剤溶液で、LWRの20%の改善が観察されました。 この改善は、TBAH現像剤溶液の使用をした溶解コントラストの著しい増加の結果であると分かりました。