エッチング後の残留物の除去製品 |フォトレジスト剥離液| Envure ST™

SACHEM はエッチング後の残留物の除去に用いる成分を創造しました。電子業界はサブ22nmノードへの追求はエッチング後の残留物の除去に大きなチャレンジをもたらしました。その対応として、メーカーは新しいエッチング後の残留物の除去製品を設計と製作しています。それは広さがわずか何nmしかない穴と金属糸から残ったほこりと側壁の重合体を徹底的に除去するためです。バックエンド工程ではエッチングによってたまった重合体を除去することが必要です。一般的に重合体はパターンの全体に現れ、誘電体側壁も含まれ、湿式洗浄或いは湿式洗浄とプラズマ 処理をあわせた方法でそれ除去できます。多孔質の誘電体がある場合、プラズマ 処理或いは一部の湿式洗浄では下にある多孔質誘電層を壊さない前提で残留物を有効的に除去することができないです。そのため、多孔質誘電層を壊さない前提で残留物を徹底的に除去できる一つのステップで完成できる湿式洗浄法が必要です。
主な課題:糸と穴への浸透
多くのほこりや残留物を除去する化学品には表面粘度があります。この表面粘度は溝と他の開口部をつなげることになります。
そうすると、残留物を除去する化学品は十分に小さな穴に浸透し、プラズマ の副産物を除去することができなくなります
結論:プラズマ の副産物の除去は徹底的ではない、生産量に影響する- 浸食と金属化はもっと進みます。
主な課題:エッチングのコントロール
すべての残留物を除去する化学品は清潔される基板と反応し、それはエッチング処理と呼ばれます。この反応は基板の物理的な性質を大きく影響します。
エッチングの清潔プロセス(洗浄回数、温度と成分配合)はエッジング処理を通じてより良い金属化を実現するために設計しています。現在のサブ22nmノードは非常に小さいため、以前に受け入れられる エッチ速度は基板を壊します。それで、金属糸壁の過度なエッチング、CD の損失、糸の崩壊、穴あけ等の現象が現れます。

エッチング後の残留物の除去製品 |フォトレジスト剥離液
Envure ST™ 2011
TFT 除去剤フォーミュラリー
水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH) 20% PG

CAS# 75-59-2/57-55-6
SDS